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乾照光电携手武汉大学,共同开发硅基高功率GaN LED

乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他们使用具有SiO 2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此外,通过KOH湿法刻蚀对VLED的发射表面进行表面纹理处理,提高光提取效率。

沉积的金属化方案会在潮湿的环境中弯曲并分层,这是VLED可靠性的主要关注的问题。在这项发表在《光学快报》上的研究中,研究人员证明,通过在Ag / TiW薄膜周围沉积Pt / Ti保护层来保护界面免受环境湿度的影响,可以提高金属化可靠性。

金属触点吸收的光是LED中光损耗源的一种来源。然而,由于半导体层的非理想导电性,大多数电流拥挤在电极附近,导致在电极焊盘周围的发射局部化。

研究人员表明,通过在p电极下插入SiO 2电流阻挡层可以大大缓解“电流拥挤” 。仿真结果表明,采用SiO 2电流阻挡层时,电流分布更加均匀。

研究人员还利用KOH湿法化学蚀刻技术对VLED的发射表面进行纹理化处理,以提高光提取效率。使用KOH溶液湿法刻蚀后,高度集成的表面纹理包括周期性的半球形凹痕和六边形金字塔。时域有限差分(FDTD)模拟表明,这种表面形态不仅减少了菲涅耳反射,而且使光以较宽的分布向外散射,从而提高了光提取效率。(来源:化合物半导体)

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